窒化ガリウム(GaN)などのワイドギャップ半導体は、高い絶縁破壊電界や高い電子移動度を有しており、パワーデバイスや高周波デバイスの材料として大変魅力的です。しかし、結晶成長やデバイス作製技術は未成熟・発展途上である上、基礎物性の理解が不十分であるため、潜在能力を十分に引き出せていないのが現状です。私の研究グループでは、ワイドギャップ半導体の材料特有の物性やデバイス物理を解明することにより、革新的な性能向上・新機能発現させることを目指して研究を進めています。