小林 正治
名前 | 小林 正治 / KOBAYASHI Masaharu |
---|---|
学位 | Ph.D(電子工学)(スタンフォード大学),修士(工学)(東京大学) |
職名 | 准教授 |
所属 | 大学院工学系研究科
附属システムデザイン研究センター |
所属サイトURL | http://www.t.u-tokyo.ac.jp/foe/index.html![]() |
専門分野 | 集積ナノエレクトロニクス |
実績等URL | http://www.iis.u-tokyo.ac.jp/![]() |
Scopusページへのリンク | Scopus![]() |
その他リンク |
小林研究室![]() |
科研費(最新10件)
審査区分/研究分野 | |
---|---|
研究課題キーワード |
研究課題
関連するページ
- [Press releases] ゲートオールアラウンド型 ナノシート酸化物半導体トランジスタを開発――半導体の高集積化・高機能化へ期待――
- [Press releases] 不揮発性メモリ素子が壊れる瞬間を可視化
- [Articles] 英文広報誌「UTokyo-IIS Bulletin」Vol.12を公開
- [Articles] 小林 正治 准教授がPaul Rappaport Awardを受賞
- [Press releases] 三次元垂直チャネル型の強誘電体/反強誘電体メモリデバイスを開発
- [Press releases] Snを添加したIGZO材料を用いた三次元集積メモリデバイスを開発
- [Articles] 生研英文広報誌「UTokyo-IIS Bulletin」Vol. 6を公開しました
- [Press releases] IGZOと不揮発性メモリを三次元集積した新デバイスの開発に成功
- [Articles] 生産技術研究所 小林准教授、水谷准教授、南准教授が文部科学大臣表彰 若手科学者賞を受賞
- [Press releases] IGZOと次世代機能性材料を融合した新デバイスの開発に成功
- [Press releases] 強誘電体二酸化ハフニウムを用いたトランジスターとメモリーの動作メカニズムを解明