記者会見「超高密度・銅常温直接接合の実現　次世代の半導体集積化へ向けて」研究成果

東京大学大学院工学系研究科・記者会見
「超高密度・銅常温直接接合の実現　次世代の半導体集積化へ向けて」

半導体パッケージング関連各社が構成するコンソーシアム・電子実装工学研究所（IMSI；理事長 嶋田勇三）は、東京大学大学院工学系研究科教授・須賀唯知と共同で、次世代の半導体集積化へ向けてブレークスルーとなる新技術・銅?銅の常温での直接接合を100万端子のチップ間接続で可能であることを実証した。

【日　時】　平成19年1月15日（月）11：00～12：00

【場　所】　東京大学工学部列品館1F大会議室（〒113-8656東京都文京区本郷7-3-1）

【発表者】　東京大学大学院工学系研究科　教授　須賀唯知
電子実装工学研究所　理事長　嶋田勇三（日本電気株式会社　生産技術研究所　所長）

【発表内容】
本技術は、単にデバイスや配線の微細化のみではで実現できない次世代の高性能半導体集積回路を、低温の超微細高密度接続に基づく3次元集積化によって実現するための基盤技術となるものである。また、本技術は、電子実装工学研究所（IMSI）-東京大学の共同研究において開発が続けられてきた表面活性化接合という手法により、銅やシリコンなどを直接、低温ないしは常温で接合する技術がベースとなっている。
　 従来の接合技術は、金属間の高温での溶融ないしは固相での接合が行われているため、高精度の接合ができない、微細な接合が困難である、という問題があった。
　 それに対し、本技術は、接合表面の酸化層、吸着層などをイオン衝撃などの物理的な方法で除去し、表面を活性化することにより、常温接合を実現するものである。電子実装工学研究所（IMSI）では、すでに、10万端子のチップオンチップ、ウエハスケールでの100万端子の接合、MEMSパッケージングへの適用などを検証してきた。
　 今回の成果は、これまでの成果をもとに、チップオンチップの集積化で、100万端子という従来よりも一桁多い超多端子の常温接合を実証したものである。また、その際に、バンプレスという、電極部にバンプ構造を持たない接合構造を採用し、また、接合部の信頼性向上のために封止枠という新しい考え方を採用している（IMSIにおいて特許申請済み）。また、関連技術として、金?金や金?すずのバンプ接合において、200℃以下の低温接合が、バンプ表面の平滑化と表面活性化の手法を用いて、大気中で可能であることを示した。

※ これらの成果の一部は、インターネプコン・ジャパン（2007年1月17日(水) 10：30?12：30（東京
ビックサイト）URL：http://www.nepcon.jp/）の基調講演で公表予定である。

【参考URL】
電子実装工学研究所ホームページ：http://www.imsi.jp/
東京大学大学院工学系研究科 実装工学分野研究室ホームページ：http://www.su.t.u-tokyo.ac.jp/ja/index.html

【問い合せ先】
・東京大学大学院工学系研究科精密機械工学専攻 教授 須賀唯知　／　秘書 川俣奈津子
・日本電気株式会社生産技術研究所 業務マネージャー 梅垣純一