東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構記者会見開催のお知らせ研究成果

東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構記者会見開催のお知らせ

1．発表日時：平成22年12月16日（木）　10:30 ～ 11:30

2．発表場所：東京大学生産技術研究所
総合研究実験棟An棟3F大会議室（An301、302）
〒153-8505　目黒区駒場4-6-1　駒場リサーチキャンパス
http://www.iis.u-tokyo.ac.jp/access/access.html（参照）

3．発表タイトル：
（1）「フォトニック人工原子からのレーザ光」
～世界初、3Dフォトニック結晶ナノ共振器からのレーザ発振～

（2）「米国インテル社との共同研究の開始について」

4．発表者：
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構・機構長　荒川　泰彦（生産技術研究所教授）

5．発表概要：
（1）「フォトニック人工原子からのレーザ光」
　半導体3次元（3D）フォトニック結晶にナノスケールの共振器を形成することにより、フォトニック人工原子を実現し、光子の閉じ込め寿命（Q値）の最高値を達成しました。また、このフォトニック人工原子に
おいて量子ドットを埋め込むことにより、世界で初めてレーザ発振に成功しました。本研究は、ナノフォトニクス分野に大きなインパクトを与える成果です。

（2）「米国インテル社との共同研究の開始について」
　東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構は、米国インテル社と、将来のLSIの中核技術の一つとなる光電子融合技術、特にシリコン上量子ドットレーザに関して、共同研究を開始します。インテル社との協働により、LSIが近い将来直面する限界を光により打破することを目指します。インテル社から相応の研究資金が提供されます。

6．発表雑誌：
（1）「フォトニック人工原子からのレーザ光」
内容の詳細は、Nature Photonics12月20日（日本時間）付先行オンライン（AOP）版にて公開されます。

7．注意事項
（1）「フォトニック人工原子からのレーザ光」
解禁日時：「Nature Photonics」（オンライン版）に掲載予定のため、 2010年12月20日（月）午前3時（新聞は20日付朝刊より）（英国時間：2010年12月19日（日）午後6時）
（2）「米国インテル社との共同研究の開始について」　　
本件の報道解禁は、記者発表終了後となります。

8．問い合わせ先：
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
事務局　 特任研究員　男澤　宏也（おとこざわ　こうや）