スピンキラリティが誘起する自発的ホール電圧を磁場で制御する研究成果

平成23年5月23日

東京大学　物性研究所
理化学研究所

発表者：
Luis　Balicas　（米国国立高磁場研究所　専任研究員 ／ 元 東京大学物性研究所　客員准教授）
町田　　洋　 （東京工業大学大学院理工学研究科　助教 ／元 東京大学物性研究所　日本学術振興会特別研究員）
中辻　　知 （東京大学物性研究所　准教授）
小野田繁樹　（理化学研究所基幹研究所　専任研究員/元 東京大学物性研究所　客員准教授）

発表概要：
ホール効果は19世紀の発見以来、磁場、あるいは、強磁性に伴う磁化の存在が必ず必要とされてきましたが、我々は磁気秩序の存在しないゼロ磁場下で、巨大なホール効果が、電子スピンが自発的に形成するスピンキラリティによって出現することを発見しました。今回は、そのスピンキラリティとゼロ磁場ホール効果が磁場の強度と方位により制御可能であることを見出しました。これは、低エネルギー損失、かつ、単層で作動するホール素子を用いた新しいタイプの不揮発性メモリの可能性を示す点で、基礎科学的だけでなく応用上も重要と考えられます。

※詳しい内容や用語説明など、こちらのプレスリリースをご覧ください。