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常温接合の新手法研究成果

「常温接合の新手法」

平成23年5月30日

東京大学大学院工学系研究科


1.発表者:東京大学大学院工学系研究科精密工学専攻 教授 須賀唯知

2.発表概要:
東京大学大学院工学系研究科精密機械工学専攻・須賀唯知教授、近藤龍一(博士課程;現・太陽誘電株式会社)らの研究グループは、このたび新たに提案した常温接合の新手法を発表します。この方法により、従来困難で あった熱酸化膜やガラス、サファイア、圧電単結晶などの無機材料ウエハの接合を常温で実現しました。

3.発表内容:
提案する手法は、具体的には、接合面に、鉄ナノ密着層とシリコン薄膜中間層を組み合わせた表面活性化を行い、常温の接触のみで接合を行う方法です。本手法の実現により、半導体デバイスの3次元積層、MEMS デバイスとの融合、フォトニクスデバイスの開発等が飛躍的に進展することが期待されます。

本手法の開発は、同教授と太陽誘電株式会社との共同研究の成果をもとに、ランテクニカルサービス株式会社、ボンドテック株式会社、および産学連携コンソーシアムである電子実装工学研究所の協力のもとに行われたものです。この成果は、実装における最大の国際会議、第61回ECTC 2011(2011年5月31 日~6月3日米国フロリダ)にて発表される予定です。

※用語説明など、詳しくはこちらのプレスリリースをご覧ください。

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