3次元回路センサ一体型 SOI検出器の開発

島添 健次
工学系研究科
特任准教授
高抵抗シリコン層及びSOI回路層を積層したモノリシック型の構造を用いた、高感度なセンサ回路一体型デバイスの開発を実施している。1光子計測が可能な光センサやコンプトン散乱電子飛跡追跡が可能なデバイスの開発を実施することで医療用途や産業用途への展開を実施する。
SOI光センサの分光性能

プロジェクトに関するURL

共同実施者

高エネルギー加速器研究機構
宮崎大学

主な関連論文

  • Koyama, A., et al. "A 250-μm pitch 36-channel silicon photo multiplier array prototype using silicon on insulator technology." Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment 924 (2019): 436-440.
  • Yoshihara, Y., et al. "Development of electron-tracking Compton imaging system with 30-μm SOI pixel sensor." Journal of Instrumentation 12.01 (2017): C01045.
  • Kamiya, Y., et al. "Development of a Neutron Imaging Sensor using INTPIX4-SOI Pixelated Silicon Devices." arXiv preprint arXiv:2006.05658 (2020).

関連するSDGs項目

  • 目標3:すべての人に健康と福祉を
  • 目標9:産業と技術革新の基盤をつくろ

問い合わせ先

  • 担当: 工学系研究科 島添 健次
  • 電話: 03-5841-6974
  • メールアドレス: shimazoe[at]bioeng.t.u-tokyo.ac.jp
    ※[at]を@に置き換えてください
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