超高分解能電磁場計測電子顕微鏡法の開発

柴田 直哉
工学系研究科
教授
半導体デバイスの電磁場分布を超高分解能で直接可視化できる電子顕微鏡法を開発し、デバイス中の電磁場分布解析に応用する。
電磁場計測電子顕微鏡法の模式図
柴田直哉
GaAs半導体中のpn接合内蔵電場の観察像
柴田直哉

プロジェクトに関するURL

共同実施者

日本電子株式会社
モナッシュ大学(オーストラリア)

主な関連論文

  • N. Shibata et al., “Direct Visualization of Local Electromagnetic Field Structures by Scanning Transmission Electron Microscopy,”Acc. Chem. Res., 50, 1502-1512 (2017).
  • N. Shibata et al., “Imaging of built-in electric field at a p-n junction by scanning transmission electron microscopy,”Sci. Rep., 5, 10040 (2015).
  • N. Shibata et al., "Differential phase-contrast microscopy at atomic resolution,” Nature Phys., 8,611-615 (2012).

主な特許

「透過型電子顕微鏡」特許第 5529573号 (2014.4.25)

関連するSDGs項目

  • 目標7:エネルギーをみんなにそしてクリーンに
  • 目標9:産業と技術革新の基盤をつくろ

問い合わせ先

  • 担当: 工学系研究科 柴田 直哉
  • 電話: 03-5841-0415
  • メールアドレス: shibata[at]sigma.t.u-tokyo.ac.jp
    ※[at]を@に置き換えてください
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