二重スリット法によるEUV領域での物質光学定数の評価
- 2.3 量子物性（トポロジカル物質、熱電素子、機能物性など）
- 2.5 量子配線・エレクトロニクス
湯本 潤司
理学系研究科
特任研究員 東京大学特任教授
極短紫外（EUV)リソグラフィ―技術は次世代半導体プロセス技術の中核となりつつあり、半導体戦略上、重要な技術となっている。本リソグラフィ―では、波長13.5nmのEUV光が用いられているが、この波長域での金属、半導体、更には誘電体物質の十分な光学特性は得られていない。本研究では、二重スリット法によりこの波長域での光学定数評価技術を確立し、その知見を量子デバイス設計・開発に提供する。
右図：2重スリットの回折パターンから計算された厚さ165nmのアルミニウムを透過するEUV光の位相差と透過率
共同実施者
森田 悠介 助教
島田 紘行 特任研究員
島田 紘行 特任研究員
主な関連論文
D. Hirano、et al, Measurement of complex refractive index with tunable extreme ultraviolet high harmonic source, Optics Express 29, 15148 (2020).
主な特許
米国仮出願済
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