トポロジカル物質を用いた量子エレクトロニクス
- 3.2 データ保存デバイス・マテリアル（新原理メモリ、3D集積メモリ など）
- 3.3 データ通信デバイス・マテリアル（高周波デバイス、IoTデバイス など）
中辻 知
理学系研究科
教授
不揮発性メモリや論理演算素子等のスピンエレクトロニクスデバイスでは更なる高速化や高密度化へ向けて反強磁性体の活用が強く望まれている。本プロジェクトでは、電子構造のトポロジーを用いて、従来の反強磁性体では期待されない巨大電気磁気応答等の量子機能物性を開拓し、脳型計算機や量子コンピューターにつながる革新的メモリ素子等の量子エレクトロニクスデバイスに革新をもたらすことを目標とする。
東京大学
東京大学
プロジェクトに関するURL
主な関連論文
- H. Tsai, T. Higo et al., Nature 580, 680 (2020).
- T. Higo et al., Nature Photon. 12, 73 (2018).
- S. Nakatusji et al., Nature 527, 212 (2015).
主な特許
- 特開 WO2017/018391 メモリ素子 中辻 知 国立大学法人東京大学
- 特開 2018/0301177 メモリ素子 中辻 知 国立大学法人東京大学
- 特願 2019025853 スピントロニクス素子及び磁気メモリ装置 中辻 知,大谷 義近 国立大学法人東京大学
- 特願 PCT/JP2020/005901 スピントロニクス素子及び磁気メモリ装置 中辻 知,大谷 義近 国立大学法人東京大学
関連するSDGs項目
問い合わせ先
- 担当： 理学系研究科物理学専攻 中辻 知
- 電話： 04-7136-3240
- メールアドレス： satoru[at]phys.s.u-tokyo.ac.jp
※[at]を@に置き換えてください
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