半導体量子ナノ構造の物理とデバイス応用
- 3.1 データ処理デバイス・マテリアル（微細CMOS、新原理スイッチ、3D集積 など）
- 3.4 データ生成デバイス・マテリアル（新原理センサデバイス など）
- 3.7 先進デバイス・マテリアル評価計測技術（SEM、AFM、OCD、TEMなど）
平川 一彦
生産技術研究所
教授 ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構 機構長・教授
ナノメートル寸法の半導体構造（量子ナノ構造）の中では、量子力学に基づく様々な新しい物理現象が発現します。我々は、このような”量子半導体”の中で現れる新規な物理現象を解明するとともに、それらを制御することによりエレクトロニクスに新しい展開をもたらすことを目標に研究を行っております。特にテラヘルツ（THz）電磁波と呼ばれる超高周波の電磁波を用いた量子ナノ構造の電子状態やダイナミクスの解明、THz電磁波の発生・検出デバイス、新しい熱電子冷却デバイスなどに重点を置いて研究を行っています。
M. Jung, T. Machida, K. Hirakawa, S. Komiyama, T. Nakaoka, S. Ishida, and Y. Arakawa, Applied Physics Letters, vol. 87, No. 20, pp. 203109-1~3 (2005).
Y. Zhang, Y. Watanabe, S. Hosono, Nagai, and K. Hirakawa, Applied Physics Letters, vol. 108, pp. 163503-1~4 (2016).
プロジェクトに関するURL
共同実施者
- 東京大学
- 東北大学
- 東京農工大学
- 情報通信研究機構
- エコールノルマルスーペリァ（フランス）
- LIMMS-CNRS（フランス）
- トウェンテ大学（オランダ）
主な関連論文
- N. Sekine and K. Hirakawa: "Dispersive terahertz gain of non-classical oscillator: Bloch oscillation in semiconductor superlattices”, Physical Review Letters, vol. 94, No. 5, 057408 (2005).
- Y. Zhang, K. Shibata, N. Nagai, C. Ndebeka-Bandou, G. Bastard, and K. Hirakawa: “Terahertz intersublevel transitions in single self-assembled InAs quantum dots with variable electron numbers”, Nano Letters, vol. 15, pp. 1166~1170 (2015).
- Y. Zhang, Y. Watanabe, S. Hosono, Nagai, and K. Hirakawa: “Room temperature, very sensitive thermometer using a doubly clamped microelectromechanical beam resonator for bolometer applications”, Applied Physics Letters, vol. 108, pp. 163503-1~4 (2016).
- A. Yangui, M. Bescond, T. Yan, N. Nagai and K. Hirakawa: “Evaporative electron cooling in asymmetric double barrier semiconductor heterostructures”, Nature Communications, (2019)10: 4504.
関連するSDGs項目
問い合わせ先
- 担当： 生産技術研究所
- 電話： 03-5452-6260
- メールアドレス： hirakawa[at]iis.u-tokyo.ac.jp
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