トポロジカル物質を用いた量子エレクトロニクス
- 2.3 量子物性（トポロジカル物質、熱電素子、機能物性など）
中辻 知
理学系研究科
教授
不揮発性メモリや論理演算素子等のスピンエレクトロニクスデバイスでは更なる高速化や高密度化へ向けて反強磁性体の活用が強く望まれている。
本プロジェクトでは、電子構造のトポロジーを用いて、従来の反強磁性体では期待されない巨大電気磁気応答等の量子機能物性を開拓し、脳型計算機や量子コンピューターにつながる革新的メモリ素子等の量子エレクトロニクスデバイスに革新をもたらすことを目標とする。
本プロジェクトでは、電子構造のトポロジーを用いて、従来の反強磁性体では期待されない巨大電気磁気応答等の量子機能物性を開拓し、脳型計算機や量子コンピューターにつながる革新的メモリ素子等の量子エレクトロニクスデバイスに革新をもたらすことを目標とする。
東京大学
東京大学
プロジェクトに関するURL
主な関連論文
- H. Tsai, T. Higo et al., Nature 580, 680 (2020).
- T. Higo et al., Nature Photon. 12, 73 (2018).
- S. Nakatusji et al., Nature 527, 212 (2015).
主な特許
- 特願2017-530866 メモリ素子 中辻 知 国立大学法人東京大学
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